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白いガリウム酸化物の粉の方式Ga2O3 Cas半導体のための12024-21-4無し
商品の詳細:
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詳細製品概要
| 外観: | 白色粉末 | 純度: | 99.99%-99.999% |
|---|---|---|---|
| サイズ: | カスタマイズされた | CAS番号: | 12024-21-4 |
| EINECS: | 234-691-7 | 主要出願: | 半導体区域 |
| 方式: | Ga2O3 | ||
| ハイライト: | バナジウム五酸化物,三酸化二ヒ素 |
||
99.99%方式Ga2O3およびCasの99.999%の白ガリウム酸化物の粉半導体のための12024-21-4無し
ガリウム酸化物はcasのガリウムtrixoideのabbrevationの名前12024-21-4ではないです
ガリウム酸化物は例えば長期電気伝導率および冷光の特性のための多くの注意を引き付ける=4.9eVの広いバンド ギャップの半導体の原料です。
Ga2O3は半導体区域のための透明な酸化物材料です。それに光電子工学装置で広い適用見通しがあります。
digalliumのtrixoideはGaによって基づく半導体材料および紫外フィルターの絶縁材の層として使用されます。それはまたO2化学薬品の探知器として使用することができます。
分子量Ga2O3
分子量187.44
同義語の名前:ガリウム（III）酸化物（99.999% Ga）
| 項目 | 指定 | 試験結果 |
| Ga2O3 （%、分） | 99.99 | 99.99 |
| 出現 | 白い粉 | 白い粉 |
| 不純物（PPM、最高） | ||
| CU | 2.0 | |
| Na | 4.9 | |
| Al | 1.3 | |
| カリフォルニア | 4.8 | |
| Si | 4.9 | |
| NI | 5.0 | |
| Zn | 0.5 | |
| Sn | 0.5 | |
| Pb | 3.0 | |
| 粒度（um、D50） | 5.013 | |
| 項目 | 指定 | 試験結果 |
| Ga2O3 （%、分） | 99.999 | 99.999 |
| 出現 | 白い粉 | 白い粉 |
| 不純物（PPM、最高） | ||
| CU | 0.01 | 合わせて下さい |
| Na | 0.1 | 合わせて下さい |
| Mg | 0.01 | 合わせて下さい |
| カリフォルニア | 0.1 | 合わせて下さい |
| Cr | 0.01 | 合わせて下さい |
| Mn | 0.01 | 合わせて下さい |
| Fe | 0.1 | 合わせて下さい |
| Co | 0.01 | 合わせて下さい |
| NI | 0.01 | 合わせて下さい |
| Zn | 0.01 | 合わせて下さい |
| 0.01 | 合わせて下さい | |
| Sn | 0.01 | 合わせて下さい |
| Pb | 0.01 | 合わせて下さい |
| 粒度（um、D50） | 3.255 | |
連絡先の詳細
Changsha Easchem Co., Limited
コンタクトパーソン: andrew.liao
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